本装置是在超高真空腔体中最多配置4个磁控溅射源，并通过基板在成膜过程中旋转、以及对各个溅射源进行独立的快门控制，实现多层膜或多元素同时沉积的磁控溅射系统。
同时，通过配备装载/卸载腔（Load Lock），可有效降低沉积过程中的杂质混入，从而实现高品质薄膜的沉积。

【特点】

• 采用对角方式配置溅射源，通过优化设计，实现了膜厚分布的高均匀性。

• 成膜腔支持超高真空环境，有助于获得更高纯度、更高质量的薄膜。

• 拥有丰富的选配件，能够满足各种多样化的成膜条件需求。